近日，终极展金终极日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用金刚石制成的功率刚石功率半导体，并以1平方厘米875兆瓦（87.5万千瓦）的半导半导功率运行。
该功率半导体在已有的体获突破体材金刚石半导体中，输出功率值为全球最高，性进在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的有望约2090兆瓦。
与作为新一代功率半导体的终极展金终极碳化硅(SiC)产品和氮化镓(GaN)产品相比，金刚石半导体耐高电压等性能更出色，功率刚石电力损耗被认为可减少到硅制产品的半导半导五万分之一，同时耐热性和抗辐射性也很强，体获突破体材因而被称为终极功率半导体”。性进
金刚石带隙宽度高达5.5eV，有望远超氮化镓、终极展金终极碳化硅等材料，功率刚石载流子迁移率也是半导半导硅材料的3倍，在室温下本征载流子浓度极低，且具备优异的耐高温属性。
当前，金刚石在半导体领域的应用越来越广泛，全球各国都在加紧金刚石在半导体领域的研制工作，其中日本已成功研发超高纯2英寸金刚石晶圆量产方法，其存储能力相当于10亿张蓝光光盘（约为2500万TB）。
全球天然金刚石年产量约为1.5亿克拉，而人造金刚石产量则超过200亿克拉，其中95%产量来自于中国大陆。
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